|
Кількість
|
Вартість
|
||
|
|
|||
|
|
|||
|
Тип
|
внутрішній | ||
|
Об'єм
|
1000 ГБ | ||
|
Форм-фактор
|
M.2 | ||
|
Інтерфейс M.2
|
PCI-E 4.0 4x | ||
|
Контролер
|
Samsung Elpis | ||
|
Буферна пам'ять
|
1000 МБ / DDR4 / | ||
|
Тип пам’яті
|
3D TLC NAND | ||
|
NVMe
|
 / 1.3c / |
||
|
Зовнішня швидкість запису
|
5000 МБ/с | ||
|
Зовнішня швидкість зчитування
|
7000 МБ/с | ||
|
Ударостійкість під час роботи
|
1500 G | ||
|
Напрацювання на відмову
|
1.5 млн. год | ||
|
IOPS запису
|
1000 тис | ||
|
IOPS зчитування
|
1000 тис | ||
|
TBW
|
600 ТБ | ||
|
DWPD
|
0.3 разів/день | ||
|
|
|||
|
TRIM
|
|
||
|
Шифрування даних
|
|
||
|
Радіатор охолодження M.2
|
|
||
|
Розміри
|
22x80 мм | ||
|
Вага
|
31 г | ||
|
Офіційний сайт
|
semiconductor.samsung.com |